Физический энциклопедический словарь - эшелет

Э. представляет собой систему одинаковых зеркальных площадок (рис.) шириной а, плоскости к-рых параллельны одна другой и образуют с плоскостью заготовки угол i. При падении

Схема хода лучей для эшелетта: d — постоянная эшелетта; N — нормаль к общей поверхности эшелетта; N'— нормаль к зеркальной грани штриха;  — угол падения лучей на эшелетт;  — угол дифракции; а — угол падения лучей на зеркальную грань штриха;  — угол дифракции от зеркальной грани штриха.

на Э. параллельного пучка лучей на каждой зеркальной площадке происходит дифракция, как на узкой щели, и пучки, дифрагированные на всех площадках, интерферируют. Концентрация энергии дифрагированного излучения в заданном направлении происходит при выполнении след. условий: 1) направление  на гл. дифракц. максимум от всей решётки совпадает с направлением (3 на нулевой максимум от отдельного зеркального элемента (штриха); 2) направление на спектр нулевого порядка всей решётки совпадает с направлением на минимум при дифракции от отдельного зеркального элемента. Первое требование означает, что угол дифракции , определяемый из условия максимумов для отражат. решётки d(sin+sin) = n, должен совпадать с углом =- из условия нулевого максимума от отд. штриха. Принимая во внимание, что углы положительны, если они расположены по одну сторону от нормали по ходу часовой стрелки, и учитывая соотношения между углами вида  =i- и =i+, из условия максимумов можно получить выражение 2cos(-i)sini=n/d, позволяющее по заданному углу падения  и длине волны  вычислить угол наклона зеркальной грани г, наз. «углом блеска» и изменяющийся у совр. Э. в пределах 5—20°. Второе требование означает, что

для спектра нулевого порядка всей решётки, т. е. при =-, рассматриваемое направление должно совпадать с направлением , к-рое определяется из условия минимумов при дифракции от отдельного зеркального элемента: a(sin+sin) = k для k=-1. Из рисунка следует, что =- i и -=-+i. Используя эти выражения, при условии равенства углов падения и дифракции (с учётом знака), можно получить соотношение -=+i, к-рое в условии минимумов приводит к соотношению вида 2sinicos=k/a. С помощью этого соотношения при известном угле наклона i отд. штриха можно вычислить его ширину а. Если 1-е и 2-е условия выполняются, то максимум отражённой от решётки энергии располагается в направлении зеркального отражения от рабочей плоскости штриха, т. е. в направлении =-. Отражат. решётки чаще всего используют в т. н. автоколлимац. схеме, для к-рой ==i. Из условия максимумов для этого случая легко получить длину волны, к-рой соответствует максимум концентрации энергии: nмакс = 2dsini. Область длин волн вблизи макс наз. областью высокой концентрации энергии в данном порядке спектра n Совр. Э. в спектре одного порядка концентрируют до 70—80% энергии падающего излучения. Использование Э. позволяет создавать спектр. приборы, не уступающие по светосиле лучшим приборам с дисперсионными призмами. В СССР изготовляют Э. с числом штрихов от 600 на 1 мм для видимой области до 0,3 штриха на 1 мм для далёкой ИК области (~500 мкм).

• Пейсахсон И. В., Оптика спектральных приборов, 2 изд., Л., 1975; Н а г и б и н а И. М., Интерференция и дифракция света, Л., 1974; Калитеевский Н. И., Волновая оптика, М., 1971.

Л. Н. Капорский.